北核，4个月左右操作周期，录用后一年左右见刊 ，官网查稿 作者单位不限 题目： 1 规模化DG变流器的电压无功**** 2 *****接入弱电网的电压源变换器设计 3 ******的架空配电线路雷击过电压计算方法研究 4 面向直流输电系统故障响应能力****** 5 ****电线路防雷性能提升的外间隙线避雷器 6 ****变流器的智能功率控制方法 7 ****的RES并网逆变器主动阻尼功率控制 8 用于智能电网含电力电子变换器的**** 9*****高压直流电网高效互联的**** 10 智能电网内DER变流器****** 11 ***输配电系统保护装置状态估计方法 12 面向智能电网频率稳定性提升**** 13 ***通信延迟下智能微电网内DER和BESS**** 14 高压直流输电系统中**** 15 ****直流微电网弹性功率控制 16 ****特高压输电系统重合闸方法研究 17 有源电流注入式直流断路器**** 18 ****新型高升压比DCDC变换器设计 19 ****MMC双端口电网形成控制 20 面向电网主动支撑的电池储能系统**** 21 面向高压变电站基于模块化***
3.3V升压5V输出3A大电流DC-DC-FP6717
3.0V升压5V3A，3.3V升压5V3A，3.7V升压5V3A，3.8V升压5V3A，4.2V升压5V3A
FP6717是用同步整流技术（采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。）的升压IC。
FP6717内置了超低内阻(42mΩ）专用功率PMOS管，和8A大电流的开关NMOS管；
FP6717宽输入电压：2.5V～5.5V，低静态电流，自恢复功能，超灵敏短路保护，
温度保护
内部补偿功能
内置软启动功能
输出过电压保护
FP6717工作频率：550Khz，限流功能，外围简单，简洁，不需肖特基二极管，节省PCB电路板空间；
FP6717外围元件器件超少：FP6717，电阻，电容和一个电感。
FP6717应用电路图：
FP6717用于锂电池/（2.5V～5.5V）升压5V 2.1A 测试升压效率和工作温度?
工作温度：输出5V 负载2.1A，工作温度：52℃。
输入电压 输入电流输出电压 输出电流效率
3.50V 3.25A 4.94V 2.1A 91.2%
3.70V 3.04A 4.94V 2.1A 92.2%
4.10V 2.71A 4.94V 2.1A 93.3%
FP6717升压5V，负载2.1A应用：移动电源，蓝牙音箱中，具有超高的效率，可节省电池电量。提供更长的运作时间。
FP6717用于锂电池/（2.5V～5.5V）升压5V 2.4A 测试升压效率和工作温度?
工作温度：输出5V 负载2.4A，工作温度：65℃
输入电压输入电流 输出电压 输出电流效率
3.50V 3.84A 4.95V 2.4A 88.5%
3.70V 3.54A 4.95V 2.4A 90.7%
4.10V 3.13A 4.96V 2.4A 92.5%
FP6717升压5V，负载2.4A 效率高达92.5%，高性能，超高效率。
移动电源升压IC：内置MOS管，超小封装，节省PCB空间；
移动电源升压IC：限流功能 ，可通过改变外围元件（电阻）的阻值，来改变限流大小；
移动电源升压IC：短路保护 ，欠压保护，过温保护
移动电源升压IC：超低功耗 ，自恢复功能。
过移动电源升压IC
移动电源升压IC系列
近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC／DC变换器中迅速推广应用。DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。举例说明，目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18％～40％）PO，占电源总损耗的60％以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC／DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
为满足高频、大容量同步整流电路的需要，近年来一些专用功率MOSFET不断问世，典型产品有FAIRCHILD公司生产的NDS8410型N沟道功率MOSFET，其通态电阻为0.015Ω。Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的，其通、断状态可用逻辑电平来控制，漏－源极通态电阻仅为0.0155Ω。IR公司生产的IRL3102（20V／61A）、IRL2203S（30V／116A）、IRL3803S（30V／100A）型功率MOSFET，它们的通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω，在通过20A电流时的导通压降还不到0.3V。这些专用功率MOSFET的输入阻抗高，开关时间短，现已成为设计低电压、大电流功率变换器的整流器件
3.0V升压5V3A，3.3V升压5V3A，3.7V升压5V3A，3.8V升压5V3A，4.2V升压5V3A
FP6717是用同步整流技术（采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。）的升压IC。
FP6717内置了超低内阻(42mΩ）专用功率PMOS管，和8A大电流的开关NMOS管；
FP6717宽输入电压：2.5V～5.5V，低静态电流，自恢复功能，超灵敏短路保护，
温度保护
内部补偿功能
内置软启动功能
输出过电压保护
FP6717工作频率：550Khz，限流功能，外围简单，简洁，不需肖特基二极管，节省PCB电路板空间；
FP6717外围元件器件超少：FP6717，电阻，电容和一个电感。
FP6717应用电路图：
FP6717用于锂电池/（2.5V～5.5V）升压5V 2.1A 测试升压效率和工作温度?
工作温度：输出5V 负载2.1A，工作温度：52℃。
输入电压 输入电流输出电压 输出电流效率
3.50V 3.25A 4.94V 2.1A 91.2%
3.70V 3.04A 4.94V 2.1A 92.2%
4.10V 2.71A 4.94V 2.1A 93.3%
FP6717升压5V，负载2.1A应用：移动电源，蓝牙音箱中，具有超高的效率，可节省电池电量。提供更长的运作时间。
FP6717用于锂电池/（2.5V～5.5V）升压5V 2.4A 测试升压效率和工作温度?
工作温度：输出5V 负载2.4A，工作温度：65℃
输入电压输入电流 输出电压 输出电流效率
3.50V 3.84A 4.95V 2.4A 88.5%
3.70V 3.54A 4.95V 2.4A 90.7%
4.10V 3.13A 4.96V 2.4A 92.5%
FP6717升压5V，负载2.4A 效率高达92.5%，高性能，超高效率。
移动电源升压IC：内置MOS管，超小封装，节省PCB空间；
移动电源升压IC：限流功能 ，可通过改变外围元件（电阻）的阻值，来改变限流大小；
移动电源升压IC：短路保护 ，欠压保护，过温保护
移动电源升压IC：超低功耗 ，自恢复功能。
过移动电源升压IC
移动电源升压IC系列
近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC／DC变换器中迅速推广应用。DC／DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。举例说明，目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18％～40％）PO，占电源总损耗的60％以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC／DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。
为满足高频、大容量同步整流电路的需要，近年来一些专用功率MOSFET不断问世，典型产品有FAIRCHILD公司生产的NDS8410型N沟道功率MOSFET，其通态电阻为0.015Ω。Philips公司生产的SI4800型功率MOSFET是采用TrenchMOSTM技术制成的，其通、断状态可用逻辑电平来控制，漏－源极通态电阻仅为0.0155Ω。IR公司生产的IRL3102（20V／61A）、IRL2203S（30V／116A）、IRL3803S（30V／100A）型功率MOSFET，它们的通态电阻分别为0.013Ω、0.007Ω和0.006Ω，在通过20A电流时的导通压降还不到0.3V。这些专用功率MOSFET的输入阻抗高，开关时间短，现已成为设计低电压、大电流功率变换器的整流器件
今天的#60秒半导体新闻#，这是我们的一个金牌栏目，网友评论这是半导体里的”参考消息“！每日精选半导体业界新闻，点击链接可以查看详细内容！#张国斌的芯思考#
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