【半导体材料专家梁骏吾院士逝世】半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾,因病医治无效,于2022年6月23日在北京逝世,享年89岁。
梁骏吾,1933年9月18日出生,湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学,1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位,1960年获技术科学副博士学位。 1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。
梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家,在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。
梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴,他曾在采访中说,希望通过自己的科研经历,带给年轻科研人员一些启发,让他们看到这份事业可以有所作为,让他们觉得自己同样能够作出成绩。(光明日报全媒体记者李苑)#中国工程院##院士风采#
梁骏吾,1933年9月18日出生,湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学,1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位,1960年获技术科学副博士学位。 1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。
梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家,在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。
梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴,他曾在采访中说,希望通过自己的科研经历,带给年轻科研人员一些启发,让他们看到这份事业可以有所作为,让他们觉得自己同样能够作出成绩。(光明日报全媒体记者李苑)#中国工程院##院士风采#
怎么说呢,从五月初对智慧蒋开始失望以来,我的情绪就陷入了一场怪圈,开始怨恨自己不像以前那样喜欢他了,也讨厌自己会对他做的一些事不认同,每天都天亮了才睡,这种状况持续到了六月初,我决定只关注月洋。但慢慢的我发现我没办法单纯的只关注月洋,我会带着对智慧蒋的一切情绪,我害怕自己的恨意大于爱意。我相信有很多姐妹现在正处于我以前的状态,但我还是想说,希望大家最后都能爱意大于恨意,这样不管是对你爱的人还是对不爱了的那个人都公平。我还没有做到,但我在努力的让自己不去过分关注不爱的那个。
希望与大家共勉。
希望与大家共勉。
#王者荣耀[超话]#家人们我认识几个野王 都挺厉害的 说是在上学我也没问过上几年级 听他们说话也还可以 有一天有一个问我有没有对象(我想着可以浅处一下也算合得来)我23+ 接下来他说的话让我在佛前苦苦求了五百年 他说我16了上初三[跪了] 罪过啊罪过家人们 我直接头皮发麻原地升天 我对不起祖国的花朵[跪了]
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