【三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘】三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注QLC闪存的性能，目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC，明年会跳过V6 QLC，直接进入176层的V6 QLC闪存时代。新一代QLC闪存性能好得多，写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍，不过这是针对V4 QLC闪存的，相比现在的V5 QLC大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320MB/s。

这几天囤了点M.2 SSD，顺便买了个阿卡西斯 Acasis 雷电3/USB3.1双接口硬盘盒，就做了一下针对硬盘盒的速度测试，以下为测试环境：
电脑：Win 10 台式机，联想ThinkPad P15 Gen 1 双雷电3 Win 10笔记本工作站，Apple 13寸 M1 MBP 2020款（2020款M1的雷电接口IO性能有限，仅作参考）。
阿卡西斯硬盘盒，金士顿 NV1 2TB NVMe（QLC）空盘，雷电3、USB 3.1 Gen 2（10Gbps）线材。
硬盘格式ExFAT，Mac OS日志，测试文件16GB。

首先是ExFAT格式：

图1，2020 M1 MBP，雷电口接雷电线插硬盘盒雷电口，读取1210M/s，写入503M/s；
图2，2020 M1 MBP，雷电口接雷电线插硬盘盒C口，读取588/s，写入524M/s；
图3，2020 M1 MBP，雷电口接C线插硬盘盒雷电口，读取1268/s，写入853M/s；
图4，2020 M1 MBP，雷电口接C线插硬盘盒C口，读取652/s，写入620M/s；

图5，Win 10 笔记本，雷电口接雷电线插硬盘盒雷电口，读取1224M/s，写入1131M/s；
图6，Win 10 笔记本，雷电口接雷电线插硬盘盒C口，读取419M/s，写入410M/s；
图7，Win 10 笔记本，雷电口接C线插硬盘盒雷电口，读取1249M/s，写入1119M/s；
图8，Win 10 笔记本，雷电口接C线插硬盘盒C口，读取418M/s，写入409M/s；
笔记本C口无论接C线还是雷电线都不能识别硬盘雷电口。

图9，Win 10 台式机，C口接C线插硬盘盒C口，读取927M/s，写入886M/s；

以下为Mac OS 日志格式（笔记本未安装Mac读写软件，未测试）：

图10，2020 M1 MBP，雷电口接雷电线插硬盘盒雷电口，读取1443M/s，写入961M/s；
图11，2020 M1 MBP，雷电口接雷电线插硬盘盒C口，读取671M/s，写入647M/s；
图12，Win 10 台式机，C口接C线插硬盘盒C口，读取923M/s，写入883M/s；

测试当然仅限于目前我手上现有的环境，金士顿 NV1本身的SSD读取性能与标称（读2G写1G）有一定差距，如果更换好的SSD会有更好的读写表现，并且Mac系统下Mac OS 日志格式性能好于ExFAT，Win上差别不大，以上数据仅供参考。
雷电3线不知道什么原因，数据上看反而有时候不如C线（更换过其他雷电线同样）。

-设备和硬盘盒上的雷电口基本可以释放目前主流10Gbps线材的性能，但该硬盘盒C口，除非全部走USB协议，否则速度只能达到5Gbps上下（按理应该支持10Gbps）。
-使用雷电 3接口和雷电线插硬盘盒雷电口的，速度瓶颈就看硬盘盒主控和SSD速度；
-如果手头有雷电口设备但临时线材只有USB3.1（10Gbps）或者3.2（20Gbps）的，优先插雷电口，比C口更快一点（不要因为只有C线而插硬盘盒C口）；
-如果手头没有雷电口设备以后战未来用于过渡阶段的，这款阿卡西斯硬盘盒的C口也就只支持10Gbps，自己看着办就行；

外置硬盘本身的速度，线材的速度，设备接口的速度，三者中如果线材性能比较落后，使用中也不要因为这个原因去降低另外两者接口的规格，说不定会有额外的性能可以释放出来。

就算只有两个灯的NUC11猎豹峡谷，Intel也给你多种颜色和闪烁风格……

几种性能设置选项，我放工作室里长时间开机当“发布器”用，自然低功耗模式（回来看看功率）

不知道Xe视频转码怎么样，下午研究

CPUZ简单测试下，i5-1135G7的单核性能很接近10700了。多核嘛……毕竟少一半的核心呢

QLC的峰值速度不差

持续写入嘛……反正我其实也不会用这么可爱的小主机做什么重劳力