汉源高科DIN卡轨式工业以太网交换机 千兆2光8电10口工业级交换机宽温防雷IP40防护等级
HY5700-4528G非网管工业交换机的主要特点是全千兆接口、结构紧凑、经济易用，通常用于工厂自动化、石油化工、智能交通等行业高带宽以太网的组建。HY5700-4528G支持2个千兆SFP口和8个千兆RJ45电口，冗余电源输入，内置隔离电源，IP40防护等级金属外壳，可以满足不同工业应用要求，确保在恶劣工业环境中快速和可靠的数据传输。
8路千兆电口+2路千兆光口工业级以太网交换机，支持8个10Base-T/1000Base-TX电口和2个1000Base-X光口。HY5700-4528G系列交换机具有-40℃～+85℃的工作温度，具有超强的坚固度能适应各种严苛环境，也可以非常方便的安置在空间紧凑的控制箱中。导轨的安装特性、宽温操作及拥有IP40防护等级的外壳及LED指示灯，使HY5700-4528G成为一个即插即用的工业级设备，为用户的以太网设备联网提供可靠、便捷的解决方案。
技术参数
标准
IEEE802.3i(10Base-T)
IEEE802.3u(100Base-TX)
IEEE802.3ab(1000Base-T)
IEEE802.3z(1000Base-X)
IEEE802.3x(流控)
交换属性
MAC表：4K
包缓冲区：1.5Mbit
包转发率：14.9Mpps
交换延迟：<5μs
超长帧长度：9KB
接口
千兆端口：1000Base-X，SFP接口；10/100/1000Base-T(X)，RJ45接口
电源
输入电压：12-36VDC
接入端子：4芯5.08mm间距插入式端子
功率：6.9W
过载保护：支持
反接保护：支持
冗余保护：支持
机械结构
外壳：金属材质，铝合金外壳
散热方式：自然冷却，无风扇
防护等级：IP40
尺寸：145*116*46mm
重量：0.5Kg
安装方式：DIN卡轨式
环境
工作温度：-40℃～+85℃
储存温度：-40℃～+85℃
相对湿度：5～95%无凝露
质保
MTBF：200000h
保修期：5年
行业标准
EMI：FCC Part 15 Subpart B Class A，EN55022 Class A
EMS：
IEC(EN)61000-4-2(ESD)：±8kV接触放电，±15kV空气放电
IEC(EN)61000-4-3(RS)：10V/m(80～1000MHz)
IEC(EN)61000-4-4(EFT)：电源线：±4kV；数据线：±2kV
IEC(EN)61000-4-5(Surge)：电源线：±4kV CM/±2kV DM；数据线：±2kV
IEC(EN)61000-4-6(射频传导)：3V(10kHz～150kHz)，10V(150kHz～80MHz)
IEC(EN)61000-4-16(共模传导)：30V cont。300V，1s
IEC(EN)61000-4-8
Shock：IEC60068-2-27
Freefall：IEC60068-2-32
Vibration：IEC60068-2-6
HY5700-4528G非网管工业交换机的主要特点是全千兆接口、结构紧凑、经济易用，通常用于工厂自动化、石油化工、智能交通等行业高带宽以太网的组建。HY5700-4528G支持2个千兆SFP口和8个千兆RJ45电口，冗余电源输入，内置隔离电源，IP40防护等级金属外壳，可以满足不同工业应用要求，确保在恶劣工业环境中快速和可靠的数据传输。
8路千兆电口+2路千兆光口工业级以太网交换机，支持8个10Base-T/1000Base-TX电口和2个1000Base-X光口。HY5700-4528G系列交换机具有-40℃～+85℃的工作温度，具有超强的坚固度能适应各种严苛环境，也可以非常方便的安置在空间紧凑的控制箱中。导轨的安装特性、宽温操作及拥有IP40防护等级的外壳及LED指示灯，使HY5700-4528G成为一个即插即用的工业级设备，为用户的以太网设备联网提供可靠、便捷的解决方案。
技术参数
标准
IEEE802.3i(10Base-T)
IEEE802.3u(100Base-TX)
IEEE802.3ab(1000Base-T)
IEEE802.3z(1000Base-X)
IEEE802.3x(流控)
交换属性
MAC表：4K
包缓冲区：1.5Mbit
包转发率：14.9Mpps
交换延迟：<5μs
超长帧长度：9KB
接口
千兆端口：1000Base-X，SFP接口；10/100/1000Base-T(X)，RJ45接口
电源
输入电压：12-36VDC
接入端子：4芯5.08mm间距插入式端子
功率：6.9W
过载保护：支持
反接保护：支持
冗余保护：支持
机械结构
外壳：金属材质，铝合金外壳
散热方式：自然冷却，无风扇
防护等级：IP40
尺寸：145*116*46mm
重量：0.5Kg
安装方式：DIN卡轨式
环境
工作温度：-40℃～+85℃
储存温度：-40℃～+85℃
相对湿度：5～95%无凝露
质保
MTBF：200000h
保修期：5年
行业标准
EMI：FCC Part 15 Subpart B Class A，EN55022 Class A
EMS：
IEC(EN)61000-4-2(ESD)：±8kV接触放电，±15kV空气放电
IEC(EN)61000-4-3(RS)：10V/m(80～1000MHz)
IEC(EN)61000-4-4(EFT)：电源线：±4kV；数据线：±2kV
IEC(EN)61000-4-5(Surge)：电源线：±4kV CM/±2kV DM；数据线：±2kV
IEC(EN)61000-4-6(射频传导)：3V(10kHz～150kHz)，10V(150kHz～80MHz)
IEC(EN)61000-4-16(共模传导)：30V cont。300V，1s
IEC(EN)61000-4-8
Shock：IEC60068-2-27
Freefall：IEC60068-2-32
Vibration：IEC60068-2-6
#安宥真[超话]#我们每个直拍保二就可以，毕竟让每个直拍百万真的很难，需要后期慢慢磨，每天刷新直拍的同时，我们主攻白衣名媛横竖版，那场既然上了热搜我们就让它百万
同时每天刷直拍别忘了爱河的粉狮，周偶，还有白衣初舞台，都有希望百万，每天刷新直拍同时顺带刷一刷
48的3v挺长时间就不涨了，我们就适当偶尔刷两遍就行，过几年磨个百万
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涨知识 | 逆变器的工作原理
变频器世界 2018-06-20 17:30
+ 提示：点击上方"变频器世界"↑免费订阅本刊
逆变器的工作原理：
1、直流电可以通过震荡电路变为交流电；
2、得到的交流电再通过线圈升压（这时得到的是方形波的交流电）；
3、对得到的交流电进行整流得到正弦波。
AC-DC就比较简单了，我们知道二极管有单向导电性。可以用二极管的这一特性连成一个电桥，让一端始终是流入的另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电。如果需要平滑的直流电还需要进行整流，简单的方法就是连接一个电容。
Inverter是一种DC to AC的变压器，它其实与Adapter是一种电压逆变的过程。Adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而Inverter是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制（PWM）技术。其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，Inverter则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
以下将对Inverter的工作原理进行简要介绍：

输入接口部分：
输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，Inverter不工作，而ENB=3V时，Inverter处于正常工作状态；而DIM电压由主板提供，其变化范围在0～5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，Inverter向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，Inverter输出的电流就越大。
电压启动回路：
ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
PWM控制器：
有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换：
由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
LC振荡及输出回路：
保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。
输出电压反馈：
当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定Inventer电压输出的作用。
其实你可以想象一下了。都有那些电子元件需要正负极，电阻，电感一般不需要。二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的，三极管的话是不会导通的。稳压管如果正负接反的话就会损坏了，但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护。在就是电容了，电容里有正负之分的就是电解电容了，如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂。
主要元件二极管。开关管振荡变压器。取样。调宽管。还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理。
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件大件：场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。功率大小和精度，关系着电路的复杂程度。可以看一下手机充电器，这就是一个小开关电源！
IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
变频器世界 2018-06-20 17:30
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逆变器的工作原理：
1、直流电可以通过震荡电路变为交流电；
2、得到的交流电再通过线圈升压（这时得到的是方形波的交流电）；
3、对得到的交流电进行整流得到正弦波。
AC-DC就比较简单了，我们知道二极管有单向导电性。可以用二极管的这一特性连成一个电桥，让一端始终是流入的另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电。如果需要平滑的直流电还需要进行整流，简单的方法就是连接一个电容。
Inverter是一种DC to AC的变压器，它其实与Adapter是一种电压逆变的过程。Adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而Inverter是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制（PWM）技术。其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，Inverter则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
以下将对Inverter的工作原理进行简要介绍：

输入接口部分：
输入部分有3个信号，12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供，ENB电压由主板上的MCU提供，其值为0或3V，当ENB=0时，Inverter不工作，而ENB=3V时，Inverter处于正常工作状态；而DIM电压由主板提供，其变化范围在0～5V之间，将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端，Inverter向负载提供的电流也将不同，DIM值越小，Inverter输出的电流就越大。
电压启动回路：
ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
PWM控制器：
有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换：
由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
LC振荡及输出回路：
保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。
输出电压反馈：
当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定Inventer电压输出的作用。
其实你可以想象一下了。都有那些电子元件需要正负极，电阻，电感一般不需要。二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的，三极管的话是不会导通的。稳压管如果正负接反的话就会损坏了，但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护。在就是电容了，电容里有正负之分的就是电解电容了，如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂。
主要元件二极管。开关管振荡变压器。取样。调宽管。还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理。
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT），功率场效应管（MOSFET），绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET，因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块，这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而IGBT在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（100KVA以上）系统中，一般均采用GTO作为功率元件大件：场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。功率大小和精度，关系着电路的复杂程度。可以看一下手机充电器，这就是一个小开关电源！
IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
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