#弃文[超话]#
一直喜欢年上,严谨攻乖巧受,但现在的乖巧受不论是十八还是二十四,老让我觉得是八岁小学生,幼儿园小盆友[黑线],“嚎啕大哭,泪光莹莹,小声说,低着头,红透的番茄,可怜巴巴,咬着嘴唇,挂着眼泪,怯怯地,像小猫,软软地抓着手臂,圆碌碌的眼睛,缩了缩脚,没断奶的羊羔,哭得湿答答的……”作者到底怎么想出这些没完没了的三年起步描述呢[666],这是一个高中生唉[裂开]

转发:和传统前照式CMOS相比,背照式、堆栈式在技术层面更先进,同时也意味着在研发、生产上有更高门槛。这也是为什么“背照式”概念自1990年代提出之后,一直到2009年才开始量产并不断普及。

* 我并不喜欢“堆栈式”这个叫法,换成积层式、堆叠式更严谨,但无奈前者已经约定俗成……

为了分担研发成本,索尼找到了一块很好的“试验田”:手机。以苹果为代表的厂商,对于传感器技术快速迭代起到了至关重要的作用(当然,最后还是消费者买单)。也就是从这段时间开始,先进传感器技术开始自小向大扩展,而不是自大向小普及。

【背照式】
2009年,索尼推出第一代背照式CMOS(Exmor R),首批产品包括XR500/XR520摄像机、WX1/TX1卡片相机以及索尼爱立信S006手机(2010-10)。

同一时期(2010年6月),苹果选择的传感器供应商还是OmniVision(iPhone4 5MP背照式)。但从iPhone 4S开始,苹果的摄像头基本都由索尼提供。

【第1代堆栈式】
2013年,索尼推出堆栈式CMOS(Exmor RS)。除了我们很熟悉的IMX135外,也用在了iPhone 5S上(型号是IMX145的衍生版,具体型号待定。根据网上资料,IMX145确实有背照式版本)。第一代堆栈式CMOS“只”实现了像素、电路层的分离和堆叠,主要意义是缩小尺寸。iPhone 5S的单像素尺寸比4S大了1微米、有效面积大了12.5%,封装尺寸小了约20%!【图1】

【第2代堆栈式】
2014年,索尼推出IMX214为代表的第2代Exmor RS,电路层开始使用更先进的制造工艺(90nm→65nm),电路规模相比近似规格背照式扩大了约5倍。以此为基础,HDR视频拍摄、高速连拍等特性开始进入到大众视野。【图2】

【第3代堆栈式】
采用了3层结构,在像素层、电路层之外增加了一个DRAM层,数据接口也转移到了芯片底部。率先使用第3代堆栈式CMOS的是索尼RX100M4、RX10M2(2015年),2年后才向上普及到全画幅产品(A9、2017年)。

* 索尼IMX命名从这里开始变得更加混乱,以前我们能从1xx、2xx粗略判断代数。现在1型的IMX383和小尺寸的IMX400都是三层带DRAM传感器。后续也有不少4xx没有DRAM的,总之没办法从数字序号判断产品是不是更先进。

【今天】
在今天,堆叠式前面也要加上“传统”二字了 —— 索尼在2021年底发布了“将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层”的新型堆栈式传感器技术。【图3】

和传统前照式CMOS相比,背照式、堆栈式在技术层面更先进,同时也意味着在研发、生产上有更高门槛。这也是为什么“背照式”概念自1990年代提出之后,一直到2009年才开始量产并不断普及。

* 我并不喜欢“堆栈式”这个叫法,换成积层式、堆叠式更严谨,但无奈前者已经约定俗成……

为了分担研发成本,索尼找到了一块很好的“试验田”:手机。以苹果为代表的厂商,对于传感器技术快速迭代起到了至关重要的作用(当然,最后还是消费者买单)。也就是从这段时间开始,先进传感器技术开始自小向大扩展,而不是自大向小普及。

【背照式】
2009年,索尼推出第一代背照式CMOS(Exmor R),首批产品包括XR500/XR520摄像机、WX1/TX1卡片相机以及索尼爱立信S006手机(2010-10)。

同一时期(2010年6月),苹果选择的传感器供应商还是OmniVision(iPhone4 5MP背照式)。但从iPhone 4S开始,苹果的摄像头基本都由索尼提供。

【第1代堆栈式】
2013年,索尼推出堆栈式CMOS(Exmor RS)。除了我们很熟悉的IMX135外,也用在了iPhone 5S上(型号是IMX145的衍生版,具体型号待定。根据网上资料,IMX145确实有背照式版本)。第一代堆栈式CMOS“只”实现了像素、电路层的分离和堆叠,主要意义是缩小尺寸。iPhone 5S的单像素尺寸比4S大了1微米、有效面积大了12.5%,封装尺寸小了约20%!【图1】

【第2代堆栈式】
2014年,索尼推出IMX214为代表的第2代Exmor RS,电路层开始使用更先进的制造工艺(90nm→65nm),电路规模相比近似规格背照式扩大了约5倍。以此为基础,HDR视频拍摄、高速连拍等特性开始进入到大众视野。【图2】

【第3代堆栈式】
采用了3层结构,在像素层、电路层之外增加了一个DRAM层,数据接口也转移到了芯片底部。率先使用第3代堆栈式CMOS的是索尼RX100M4、RX10M2(2015年),2年后才向上普及到全画幅产品(A9、2017年)。

* 索尼IMX命名从这里开始变得更加混乱,以前我们能从1xx、2xx粗略判断代数。现在1型的IMX383和小尺寸的IMX400都是三层带DRAM传感器。后续也有不少4xx没有DRAM的,总之没办法从数字序号判断产品是不是更先进。

【今天】
在今天,堆叠式前面也要加上“传统”二字了 —— 索尼在2021年底发布了“将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层”的新型堆栈式传感器技术。【图3】


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