作为全球芯片代工老大，面对晶圆产能的紧缺与急切的需求，台积电率先出手，不仅在扩建速度上一马当先，在资本支出方面更是令人难以望其项背：2021年全年台积电资本支出约300亿美元，未来三年将投资1000亿美元。需要注意的是，这1000亿美元的支出包含了2021年的300亿美元资本支出。换句话说，2022年和2023年，台积电将投入约700亿美元。
Semiconductor Intelligence(SC-IQ)更是估计，台积电 2023 年的资本支出将达到 350 亿美元，甚至可能会更高。
就2021年全年资本支出来说，年初的台积电可能也没料想到自己今年支出金额居然能高到300亿美元。今年1月，台积电公布的资本支出还是250亿至280亿美元。然而仅经过3个月，在4月的电话会议中，台积电首席财务官黄仁昭就表示，为了满足未来几年对先进和专业技术不断增长的需求，决定将2021年全年的资本支出提高到300亿美元左右，其中约有80％将用于先进的工艺技术，包括3nm，5nm和7nm。大约10％将用于高级封装和光罩制造，大约10％将用于特殊技术。
同时，黄仁昭在回答投资者问题时，也明确了1000亿美元是包括今年的资本支出在内。1000亿美元的3年期分别为“21年”，“ 22年”和“ 23年”。
而“三年投资1000亿美元”首次提及是在今年3月底，网络上流传着台积电总裁魏哲家亲自署名发给客户的英文长信，信中提到，为了应对全球整个半导体产业产能短缺的问题，台积电将在未来三年投资 1000 亿美元来增加产能，并且支持高端制程技术的研发。
随后，台积电于4月1日发布公告，证实了未来三年，台积电将投入1000亿美元增加产能，以支持领先技术的制造和研发。
公告的出炉让台积电的“三年千亿美元”敲下了定锤，但台积电本身可能并不满足于这个金额。
近日，台积电董事长刘德音在接受美国《时代》周刊专访时透露，美国成本远高于台积电预期，对于原定三年1000亿美元的资本支出计划，“愈看愈觉得不够”。
惊人的资本支出背后，是台积电频繁的扩建举措，包括：28.87亿美元（约合187亿人民币）扩建南京工厂，生产28nm工艺，月产能为4万片晶圆；已开工建设的亚利桑那州5nm芯片厂，预计耗资120亿美元，；确认将赴日本建特殊制程晶圆厂，提供22nm及28nm制程产能，同时在德国开设晶圆厂也已处于评估考虑的初步阶段。
“钱海战术”，三星用钱捍卫全球半导体霸主地位
在台积电频繁扩建压力之下，韩国三星显然也坐不住了。
8月24日，三星官方宣布计划未来三年将投资240万亿韩元，将用于培育战略业务，包括半导体、生物制药、下一代电信和IT研究。
对于其中的半导体业务，三星计划通过开发领先工艺，抢先投资来加强在半导体业务中的全球领先地位。在内存方面，通过投资开发14nm以下DRAM、200层以上NAND闪存等下一代产品解决方案，拉大成本竞争力和技术差距，以此巩固三星的“绝对优势”。
此外，对于晶圆代工厂等系统半导体领域，三星表示，计划通过前沿技术开发和投资确保革新产品的竞争力，为跃居全球第一奠定基础。例如 开发GAA等新技术应用新结构，早日量产3nm及以下晶圆。
虽然三星没有透露将在每个领域投入多少资金，但是半导体作为三星的拳头业务，为了保持和加强在全球半导体行业的绝对领导地位，想必投资金额只会有增无减。
据韩联社报道，Kiwoom Securities 分析师 Pak Yu-ak 表示，预计未来三年，三星芯片业务的总资本支出将达到 110-120 万亿韩元。其余资金可能用于高级节点的研发活动和并购（M&A）交易。
值得一提的是，早在今年5月，三星就已宣布，为了加快尖端半导体工艺技术的研究和新生产设施的建设，计划到2030年为止，将在系统半导体和代工领域的投资规模增加到171万亿韩元。比2019年4月宣布的133万亿韩元增加了38万亿韩元，三星方面表示，这有助于实现到2030年成为世界逻辑芯片领军企业的目标。
庞大的资本支出之下，三星对产能提升也充满了信心。
据日经报道，10月28日，在财报电话会议上，三星高管 Han Seung-hoon 表示，计划到 2026 年将产能扩大约 3 倍，通过扩大平泽产能以及考虑在美国建立新工厂，尽可能满足客户的需求。
85% 用于 12英寸，联电今年支出将达23亿美元
作为中国台湾三大代工厂之一，联电今年也加大了投资力度。2021年的资本支出由年初的将达 15 亿美元提升至23 亿美元，较去年大增 1.3 倍。其中为15% 用于 8英寸产能，85% 用于 12英寸产能。
除了宣布上调资本支出，联电还宣布将扩建南科 Fab 12A P6 厂区产能，将采 28nm制程、月产能 2.75 万片，扩建产能预计 2023 年第二季投产，总投资金额将达新台币 1000 亿元。令人吃惊的是，联电表示，未来 3 年联电在南科的投资金额将达 1500 亿元新台币。
联电也是落实增资扩产的决心。今年7月，联电董事会通过资本支出预算案 318.95 亿元新台币，用于扩充产能。联电表示，今年资本支出维持 23 亿美元水平，南科扩厂资本支出大部分预估将落在明、后年。
此外，此前还传出联电拟在新加坡建设12英寸新厂。不过，对此，联电方面表示，不评论市场臆测，但持续评估扩产计划，并抱持开放态度。
来源于半导体行业观察 ，作者龚佳佳
Semiconductor Intelligence(SC-IQ)更是估计，台积电 2023 年的资本支出将达到 350 亿美元，甚至可能会更高。
就2021年全年资本支出来说，年初的台积电可能也没料想到自己今年支出金额居然能高到300亿美元。今年1月，台积电公布的资本支出还是250亿至280亿美元。然而仅经过3个月，在4月的电话会议中，台积电首席财务官黄仁昭就表示，为了满足未来几年对先进和专业技术不断增长的需求，决定将2021年全年的资本支出提高到300亿美元左右，其中约有80％将用于先进的工艺技术，包括3nm，5nm和7nm。大约10％将用于高级封装和光罩制造，大约10％将用于特殊技术。
同时，黄仁昭在回答投资者问题时，也明确了1000亿美元是包括今年的资本支出在内。1000亿美元的3年期分别为“21年”，“ 22年”和“ 23年”。
而“三年投资1000亿美元”首次提及是在今年3月底，网络上流传着台积电总裁魏哲家亲自署名发给客户的英文长信，信中提到，为了应对全球整个半导体产业产能短缺的问题，台积电将在未来三年投资 1000 亿美元来增加产能，并且支持高端制程技术的研发。
随后，台积电于4月1日发布公告，证实了未来三年，台积电将投入1000亿美元增加产能，以支持领先技术的制造和研发。
公告的出炉让台积电的“三年千亿美元”敲下了定锤，但台积电本身可能并不满足于这个金额。
近日，台积电董事长刘德音在接受美国《时代》周刊专访时透露，美国成本远高于台积电预期，对于原定三年1000亿美元的资本支出计划，“愈看愈觉得不够”。
惊人的资本支出背后，是台积电频繁的扩建举措，包括：28.87亿美元（约合187亿人民币）扩建南京工厂，生产28nm工艺，月产能为4万片晶圆；已开工建设的亚利桑那州5nm芯片厂，预计耗资120亿美元，；确认将赴日本建特殊制程晶圆厂，提供22nm及28nm制程产能，同时在德国开设晶圆厂也已处于评估考虑的初步阶段。
“钱海战术”，三星用钱捍卫全球半导体霸主地位
在台积电频繁扩建压力之下，韩国三星显然也坐不住了。
8月24日，三星官方宣布计划未来三年将投资240万亿韩元，将用于培育战略业务，包括半导体、生物制药、下一代电信和IT研究。
对于其中的半导体业务，三星计划通过开发领先工艺，抢先投资来加强在半导体业务中的全球领先地位。在内存方面，通过投资开发14nm以下DRAM、200层以上NAND闪存等下一代产品解决方案，拉大成本竞争力和技术差距，以此巩固三星的“绝对优势”。
此外，对于晶圆代工厂等系统半导体领域，三星表示，计划通过前沿技术开发和投资确保革新产品的竞争力，为跃居全球第一奠定基础。例如 开发GAA等新技术应用新结构，早日量产3nm及以下晶圆。
虽然三星没有透露将在每个领域投入多少资金，但是半导体作为三星的拳头业务，为了保持和加强在全球半导体行业的绝对领导地位，想必投资金额只会有增无减。
据韩联社报道，Kiwoom Securities 分析师 Pak Yu-ak 表示，预计未来三年，三星芯片业务的总资本支出将达到 110-120 万亿韩元。其余资金可能用于高级节点的研发活动和并购（M&A）交易。
值得一提的是，早在今年5月，三星就已宣布，为了加快尖端半导体工艺技术的研究和新生产设施的建设，计划到2030年为止，将在系统半导体和代工领域的投资规模增加到171万亿韩元。比2019年4月宣布的133万亿韩元增加了38万亿韩元，三星方面表示，这有助于实现到2030年成为世界逻辑芯片领军企业的目标。
庞大的资本支出之下，三星对产能提升也充满了信心。
据日经报道，10月28日，在财报电话会议上，三星高管 Han Seung-hoon 表示，计划到 2026 年将产能扩大约 3 倍，通过扩大平泽产能以及考虑在美国建立新工厂，尽可能满足客户的需求。
85% 用于 12英寸，联电今年支出将达23亿美元
作为中国台湾三大代工厂之一，联电今年也加大了投资力度。2021年的资本支出由年初的将达 15 亿美元提升至23 亿美元，较去年大增 1.3 倍。其中为15% 用于 8英寸产能，85% 用于 12英寸产能。
除了宣布上调资本支出，联电还宣布将扩建南科 Fab 12A P6 厂区产能，将采 28nm制程、月产能 2.75 万片，扩建产能预计 2023 年第二季投产，总投资金额将达新台币 1000 亿元。令人吃惊的是，联电表示，未来 3 年联电在南科的投资金额将达 1500 亿元新台币。
联电也是落实增资扩产的决心。今年7月，联电董事会通过资本支出预算案 318.95 亿元新台币，用于扩充产能。联电表示，今年资本支出维持 23 亿美元水平，南科扩厂资本支出大部分预估将落在明、后年。
此外，此前还传出联电拟在新加坡建设12英寸新厂。不过，对此，联电方面表示，不评论市场臆测，但持续评估扩产计划，并抱持开放态度。
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