【房价史记 续】
前接《房价史记》https://t.cn/A66Ka0mj。2008年是资本从充裕迈向过剩的一年，4万亿经济刺激计划叠加上各地乘数，深度金融化就开始了。
机械化，就是更多依赖于机械解决问题。电气化，就是更多依赖于电器解决问题。同理，金融化，就是以来更多的钱解决问题。
资本冲充裕快速进入过剩状态。资本过剩必然带来资本回报率的下降！于此同时，人力从原本的均衡开始稀缺了。人力稀缺化，直接导致人力回报率大幅上升，进而远超资本回报率。
人力与土地房产是镜像关系。人力的稀缺，本质上就是还能承载人的土地房产稀缺了。那么人力回报率的提升必然导致土地房产回报率的提升。
而且，由于房地产存在3倍自然杠杆、因此房价的上涨速率也改与人力涨速的3倍！因此，当全球金融海啸发生，很多人判断房地产完了，而我则提醒“进入深度金融化、要更多钱解决问题”。
镜像于人力的住宅，开始以远超资本回报率的速度涨价，进而实现了迅猛的信用扩张，拉开了历史性的一幕！
2013年，是我国M2、GDP逐渐迈向“双百万亿”的开始，也是工业化转向服务化的领节点。资本不但实现了从稀缺到均衡、从均衡到过剩，还逐渐从过剩到了泛滥。而城市呢，就从工业化时代的扩张形态，转变为服务化时代的收敛形态。服务业需要的经验知识、接近价值倒是有效人力进一步稀缺化。
由于资金泛滥，因此以贷养贷等等行为变得合理化且有利流动。由于城市收敛，因此曾去房产价值开始跳涨。只要有城区抵押物，资金就蜂拥而来。甚至于没有抵押物资金也敢流过来，只不过数量少有限制。
也就是说，2013年开始金融运作开始冒头、城市收敛快速到来。而金融运作、城市收敛式存在思想、认知、门槛等等的限制的。能够提前认知到的、并且率先进入门槛的，毕竟只是少数。
因此金融运作、城市收敛的开始，实际上就是人际差距开始快速拉大的开始。从哪一年开始，价值再凝聚开始了、人际差距、片区差距开始扩大了。
为了增强金融运作的手段、为了抢占有效城区高地，加之是金融运作兴起的初期，因此玩家纷纷收购价格较低的筹码。小户型、低单价、低总价的高周转房产被抢夺一空，持续了两年之后也就是到了2015年才到了顶点。
玩家不但之前完成了原始积累、这次还借此完成了基本升级。玩家与银行体系完美融合，有些甚至成为银行的体外循环。人际差距达到了覆盖性、压制性的地步。
由此，投资讲究“面积越小、单产越高”的潮流开始告终，2015年之后逐渐地小户型开始失宠，原本谁买豪宅谁死的旧局面成为过去。市场上对小户型最后拉下帷幕是2019年提醒的《https://t.cn/A6xhiuyT》为标志。
由此，大户型、真豪宅逐年崛起为价值主流，但是社会对此的认知依旧是滞后的，因此错失了一轮价值浪潮。当年我提醒说，以上海汤臣一品为标志，其实超级豪宅的房价已经12年没变过了，超级都市豪宅是时候大涨了。
三年之后到了2018年，才是社会普遍认知到大户型、真豪宅的时候。而同时，2018年M2、GDP迈向“双百万亿时代”，我国又是资金上的封闭环境，能够控制资金的又是少数人，这群人力的稀缺度达到了空前的境地。
一次2018年开始，面对豪宅的投资浪潮崛起，甚至于不惜注册公司购入。以至于当年年底被禁止公司买房。
2018年之后到2022年之间，好些个超级都市豪宅实现了三年两倍（总投资回报率）、三年六倍（自有资金投资回报率）的价值奇迹。
而如果从2013年算起，则是五年六倍（总投资回报率）、五年十八倍（自有资金投资回报率）。这是多么壮阔的价值进程！
记得那时候我提醒说，超豪涨起来将比一般住宅更轻松。因为超豪的现有及未来数量更少，而其对应客户掌控的资金、因为人际差距扩大反而更多，较多的资金推动更少的标的，岂能不大涨呢。因此超豪的涨速、涨幅将远超普通住宅---普宅数量多、客户多，但是钱少。
而2015~2018年间，还出现了超级豪宅价值浪潮中的另外一股价值浪潮，也毫不逊色。由于一线城市房价涨速加快、导致资金有扩散要求，而且中龄化浪潮达到高峰----很多人的下一代开始独立因而开始回流各自来源省份，尤其是省城中具备国家中心地位的那些强二线城市，也开始进入服务化时代。因此《https://t.cn/A6Au5CSf》极为迅猛，三年两倍比比皆是！
上面这几个关键年份，相信深圳及一线城市、强二线城市的亲历者都能够对上号，对我的那些判断还历历在目。
而且上述都是五年一个周期，以至于过往20多年来，一线城市的购房投资者都是五年搬一次家、升一次级。那么下一个5年，也就是从2023年开始的五年里，也就是2023-2028五年间的主要看点是什么呢？
我们所要做到，依旧是要依赖于新条件，进行新调整，才能进行新洞见，进而指导新判断、新操作，进而把握新的价值浪潮。以下十条是值得高度重视的。
剩余分析请见《https://t.cn/A666Iz4D》
———————————
【举国唯一：150万轻取超大城内环豪宅】
超大城市二环内是国家级的、内环内是世界级的。内环资产是最强空间理想，但门槛已极高。现3.3万/㎡、150万首付、450万总价即可挺进内环3~4房户型，举国唯一：
武汉福星·月亮湾具内环核心、改善之王等独特性，是超低价格、超级配套(无缝无缺住办商酒学园江等顶配)、超级交通(楼下三铁换乘/隧道直连)的内环超级产品。
150万挺近超大城市内环，单价只是楼面地价，具“六年六万/十年十万”大概率倍利趋势。电营销中心027-86336666或027-86339999，也可加13163379966林S，既可轻取之！
———————————
【系列荐阅，财富大礼】
咨询我：https://t.cn/RgNOzXi
⑴2022虎年房价和投资预判：https://t.cn/A6xl9rQs
⑵房产税/房地产税前瞻：https://t.cn/A6VLbHPv
⑶楼市股市对比与把握：https://t.cn/A65RU3WN
⑷深圳特区/大湾区/示范区系列：https://t.cn/A65yyJKu
⑸香港楼市及城市研究https://t.cn/A6JldH07
⑹广州及其楼市研究：https://t.cn/A6IebpuR
⑺武汉楼市及楼盘研究：https://t.cn/A6JIutyn
⑻东莞及其楼市研究集：https://t.cn/A6Iebpu8
⑼元宇宙it与房地产影响研判：https://t.cn/A6JldH0z
⑽行业、人事与房企研究集：https://t.cn/A6MfprLR
⑾租赁与租务研判：https://t.cn/A6JldH0Z
⑿年龄/身价对应的投资讲究：https://t.cn/A65RU3WX
⒀汽车与恒产观：https://t.cn/A6MfprL8
⒁城市投资价值对比：https://t.cn/A65RU3WY
⒂地产与经济政策研判：https://t.cn/A65RU3W0
⒃房价走势与价值投资：https://t.cn/A65RU3WC
⒄片区、土地的分析：https://t.cn/A65RU3WO
⒅楼盘研究与比选：https://t.cn/A65RU3Wp
⒆风水、房地产与你我：https://t.cn/A65RU3WQ
⒇房地产投资速成系列：https://t.cn/A6x8pAGH
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前接《房价史记》https://t.cn/A66Ka0mj。2008年是资本从充裕迈向过剩的一年，4万亿经济刺激计划叠加上各地乘数，深度金融化就开始了。
机械化，就是更多依赖于机械解决问题。电气化，就是更多依赖于电器解决问题。同理，金融化，就是以来更多的钱解决问题。
资本冲充裕快速进入过剩状态。资本过剩必然带来资本回报率的下降！于此同时，人力从原本的均衡开始稀缺了。人力稀缺化，直接导致人力回报率大幅上升，进而远超资本回报率。
人力与土地房产是镜像关系。人力的稀缺，本质上就是还能承载人的土地房产稀缺了。那么人力回报率的提升必然导致土地房产回报率的提升。
而且，由于房地产存在3倍自然杠杆、因此房价的上涨速率也改与人力涨速的3倍！因此，当全球金融海啸发生，很多人判断房地产完了，而我则提醒“进入深度金融化、要更多钱解决问题”。
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2013年，是我国M2、GDP逐渐迈向“双百万亿”的开始，也是工业化转向服务化的领节点。资本不但实现了从稀缺到均衡、从均衡到过剩，还逐渐从过剩到了泛滥。而城市呢，就从工业化时代的扩张形态，转变为服务化时代的收敛形态。服务业需要的经验知识、接近价值倒是有效人力进一步稀缺化。
由于资金泛滥，因此以贷养贷等等行为变得合理化且有利流动。由于城市收敛，因此曾去房产价值开始跳涨。只要有城区抵押物，资金就蜂拥而来。甚至于没有抵押物资金也敢流过来，只不过数量少有限制。
也就是说，2013年开始金融运作开始冒头、城市收敛快速到来。而金融运作、城市收敛式存在思想、认知、门槛等等的限制的。能够提前认知到的、并且率先进入门槛的，毕竟只是少数。
因此金融运作、城市收敛的开始，实际上就是人际差距开始快速拉大的开始。从哪一年开始，价值再凝聚开始了、人际差距、片区差距开始扩大了。
为了增强金融运作的手段、为了抢占有效城区高地，加之是金融运作兴起的初期，因此玩家纷纷收购价格较低的筹码。小户型、低单价、低总价的高周转房产被抢夺一空，持续了两年之后也就是到了2015年才到了顶点。
玩家不但之前完成了原始积累、这次还借此完成了基本升级。玩家与银行体系完美融合，有些甚至成为银行的体外循环。人际差距达到了覆盖性、压制性的地步。
由此，投资讲究“面积越小、单产越高”的潮流开始告终，2015年之后逐渐地小户型开始失宠，原本谁买豪宅谁死的旧局面成为过去。市场上对小户型最后拉下帷幕是2019年提醒的《https://t.cn/A6xhiuyT》为标志。
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三年之后到了2018年，才是社会普遍认知到大户型、真豪宅的时候。而同时，2018年M2、GDP迈向“双百万亿时代”，我国又是资金上的封闭环境，能够控制资金的又是少数人，这群人力的稀缺度达到了空前的境地。
一次2018年开始，面对豪宅的投资浪潮崛起，甚至于不惜注册公司购入。以至于当年年底被禁止公司买房。
2018年之后到2022年之间，好些个超级都市豪宅实现了三年两倍（总投资回报率）、三年六倍（自有资金投资回报率）的价值奇迹。
而如果从2013年算起，则是五年六倍（总投资回报率）、五年十八倍（自有资金投资回报率）。这是多么壮阔的价值进程！
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150万挺近超大城市内环，单价只是楼面地价，具“六年六万/十年十万”大概率倍利趋势。电营销中心027-86336666或027-86339999，也可加13163379966林S，既可轻取之！
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鸡尾酒调制方法，鸡尾酒排名数不胜数，今天直接上干货，给大家带来几款口味超赞的鸡尾酒~
花花公子
30ml威士忌、30ml金巴利、30ml味美思、加冰块搅拌
装饰：橙皮擦拭杯边做装饰
口感：这杯被称为鸡尾酒中的绅士，三种基酒，不用添加其他原料，加冰搅匀制成，有更多的深度和复杂性.波本威士忌的厚重感需要盖过甜味美思和金巴利的甜苦味，味美思的草药香味和金巴利苦味则在尾韵渐渐出现。
迷迭香柠檬威士忌调酒
一根迷迭香加半个柠檬切小块，捣碎一下，蜂蜜适量加同量温水化开，威士忌少量，冰块适量，以上混合搅拌即可。
口味：用的是黑标水楢木，风味除了有柑橘桃子香蕉等各种果香，还有少许的檀木香和枣香，回味还有一点点香草和咖啡的味道，是非常适合女生合的酒没错啦。
加州柠檬
长饮杯放入冰块，用吧勺旋转冰块冰杯，然后往杯中加入20ml柠檬汁，60ml威士忌，一茶匙红石榴糖浆，一茶匙普通糖浆（或白砂糖）；再沿杯壁缓缓注入苏打水至满杯，尽量不要直接倒在冰块上，短吧勺上下提拉使得酒与苏打水融合，最后加入柠檬角装饰。
口感：与长岛冰茶竟有一点微微相似？！但还是有挺大差距的，这款偏酸辣!饭后饮用十分解腻！柠檬的酸味和威士忌微微的辛辣感可以驱散一切油腻的感觉。
花花公子
30ml威士忌、30ml金巴利、30ml味美思、加冰块搅拌
装饰：橙皮擦拭杯边做装饰
口感：这杯被称为鸡尾酒中的绅士，三种基酒，不用添加其他原料，加冰搅匀制成，有更多的深度和复杂性.波本威士忌的厚重感需要盖过甜味美思和金巴利的甜苦味，味美思的草药香味和金巴利苦味则在尾韵渐渐出现。
迷迭香柠檬威士忌调酒
一根迷迭香加半个柠檬切小块，捣碎一下，蜂蜜适量加同量温水化开，威士忌少量，冰块适量，以上混合搅拌即可。
口味：用的是黑标水楢木，风味除了有柑橘桃子香蕉等各种果香，还有少许的檀木香和枣香，回味还有一点点香草和咖啡的味道，是非常适合女生合的酒没错啦。
加州柠檬
长饮杯放入冰块，用吧勺旋转冰块冰杯，然后往杯中加入20ml柠檬汁，60ml威士忌，一茶匙红石榴糖浆，一茶匙普通糖浆（或白砂糖）；再沿杯壁缓缓注入苏打水至满杯，尽量不要直接倒在冰块上，短吧勺上下提拉使得酒与苏打水融合，最后加入柠檬角装饰。
口感：与长岛冰茶竟有一点微微相似？！但还是有挺大差距的，这款偏酸辣!饭后饮用十分解腻！柠檬的酸味和威士忌微微的辛辣感可以驱散一切油腻的感觉。
刻蚀的重要参数报告
1.刻蚀速率
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2.刻蚀剖面
刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面： 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀， 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的，这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要， 也自一些要用到
各向同性腐蚀的地方。
3.刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化(见图16. 6) 。它通常是由于横向钻蚀引起的(见图16. 7) ， 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时， 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去， 这样就会产生横向钻蚀。
4.选择比
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止) 并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度，特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
5.均匀性
刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上， 或整个一批， 或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系， 因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键。 难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性， 例如图形密的硅片区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。 刻蚀速率在小窗口图形中较慢， 甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀居然停止。
6.残留物
刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。 它的产生有多种原因， 例如被刻蚀膜层中的污染物、 选择了不合适的化学刻蚀剂(如刻蚀太快) 、 腔体中的污染物、 膜层中不均匀的杂质分布。 刻蚀以后的残留物有不同的名称，包括长细线条、遮蔽物、冠状物和栅条。
7.聚合物
聚合物的形成有时是有意的， 是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀 ，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀， 增强刻蚀的方向性， 从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体(如C2F4) 和刻蚀生成物结合在一起而形成的。 能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。
8.等离子体诱导损伤
包含带能离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷， 引起薄栅氧化硅的击穿。 差的设备或在优化的工艺窗口之外进行刻蚀工艺会使等离子体变得不均匀。 另一种器件损伤是能量离子对曝露的栅氧化层的轰击。 在刻蚀过程中， 这种损伤在刻蚀的时候能在栅电极的边缘发生。 等离子体损伤有时可以通过退火或湿法化学腐蚀消除。
9.颗粒沾污
子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起。 研究表明， 由于电势的差异， 颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。 当没有了等离子体时， 这些颗粒就会掉到硅片表面。 氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒， 因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸气压。颗粒沾污的控制可通过优化刻蚀设备， 合适的操作和关机， 对被刻蚀的膜层选用合适的化学气体。
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1.刻蚀速率
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2.刻蚀剖面
刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 有两种基本的刻蚀剖面： 各向同性和各向异性刻蚀剖面。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向) 以相同的刻蚀速率进行刻蚀， 导致被刻蚀材料在掩膜下面产生钻蚀面形成的，这带来不希望的线宽损失。 湿法化学腐蚀本质上是各向同性的，因而湿法腐蚀不用于亚微米器件制作中的选择性图形刻蚀。一些干法等离子体系统也能进行各向同性刻蚀。 由于后续上艺步骤或者被刻蚀材料的特殊需要， 也自一些要用到
各向同性腐蚀的地方。
3.刻蚀偏差
刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化(见图16. 6) 。它通常是由于横向钻蚀引起的(见图16. 7) ， 但也能由刻蚀剖面引起。 当刻蚀中要去除掩膜下过量的材料时， 会引起被刻蚀材料的上表面向光刻胶边缘凹进去， 这样就会产生横向钻蚀。
4.选择比
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止) 并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度，特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
5.均匀性
刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上， 或整个一批， 或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性与选择比有密切的关系， 因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。 保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键。 难点在于刻蚀工艺必须在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保证均匀性， 例如图形密的硅片区域，大的图形间隔和高深宽比图形。均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。 刻蚀速率在小窗口图形中较慢， 甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀居然停止。
6.残留物
刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。 它的产生有多种原因， 例如被刻蚀膜层中的污染物、 选择了不合适的化学刻蚀剂(如刻蚀太快) 、 腔体中的污染物、 膜层中不均匀的杂质分布。 刻蚀以后的残留物有不同的名称，包括长细线条、遮蔽物、冠状物和栅条。
7.聚合物
聚合物的形成有时是有意的， 是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗腐蚀膜从而防止横向刻蚀 ，这样做能形成高的各向异性图形，因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀， 增强刻蚀的方向性， 从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体(如C2F4) 和刻蚀生成物结合在一起而形成的。 能否形成侧壁聚合物取决于所使用的刻蚀气体类型。
8.等离子体诱导损伤
包含带能离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷， 引起薄栅氧化硅的击穿。 差的设备或在优化的工艺窗口之外进行刻蚀工艺会使等离子体变得不均匀。 另一种器件损伤是能量离子对曝露的栅氧化层的轰击。 在刻蚀过程中， 这种损伤在刻蚀的时候能在栅电极的边缘发生。 等离子体损伤有时可以通过退火或湿法化学腐蚀消除。
9.颗粒沾污
子体带来的硅片损伤有时也由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起。 研究表明， 由于电势的差异， 颗粒产生在等离子体和壳层的界面处。 当没有了等离子体时， 这些颗粒就会掉到硅片表面。 氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒， 因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸气压。颗粒沾污的控制可通过优化刻蚀设备， 合适的操作和关机， 对被刻蚀的膜层选用合适的化学气体。
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