AFN块体单晶的湿法蚀刻和红外吸收报告
摘要
采用湿法腐蚀、x射线衍射(XRD)和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法(PVT)生长AlN(0001)单晶的缺陷和晶格完善性。 一个正六边形的蚀刻坑密度(EPD)约为4000厘米在AlN的(0001)铝表面上观察到单晶。 EPD沿纤锌矿结构滑移方向呈线阵分布,表明其规模相当大晶体在生长过程中所产生的热应力。 XRD全宽半最大值(FWHM)晶体为35弧秒,表明晶格完美。这些吸收可能与杂质O、C、Si有关以及它们在AlN单晶中的配合物。
关键词:AlN; PVT; 蚀刻; 缺陷
介绍
AlN是一种半导体间隙(6.2 eV),具有高热稳定性和导电性。 近年来,作为iii -氮化物材料als的代表,GaN和AlGaN在光电子制造中得到了广泛的应用以及新的大功率电子设备。 然而,由于其与传统衬底的热和晶格不匹配,外延材料含有较大的位错密度,这些缺陷限制了器件的寿命和性能[33 5]。 因为氮化镓和富氮化镓配合良好,所以氮化镓及其衍生物的理想衬底三元化合物[。 在这种情况下,低缺陷密度和良好的氮化铝单晶晶格完整性是制备高质量氮化铝的先决条件。 因此,它是研究AlN单晶缺陷及其形成机理的必要手段。
实验的程序 略
结果与讨论 略
关注后可查看全部详情
#考研调剂有哪些注意事项#
摘要
采用湿法腐蚀、x射线衍射(XRD)和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法(PVT)生长AlN(0001)单晶的缺陷和晶格完善性。 一个正六边形的蚀刻坑密度(EPD)约为4000厘米在AlN的(0001)铝表面上观察到单晶。 EPD沿纤锌矿结构滑移方向呈线阵分布,表明其规模相当大晶体在生长过程中所产生的热应力。 XRD全宽半最大值(FWHM)晶体为35弧秒,表明晶格完美。这些吸收可能与杂质O、C、Si有关以及它们在AlN单晶中的配合物。
关键词:AlN; PVT; 蚀刻; 缺陷
介绍
AlN是一种半导体间隙(6.2 eV),具有高热稳定性和导电性。 近年来,作为iii -氮化物材料als的代表,GaN和AlGaN在光电子制造中得到了广泛的应用以及新的大功率电子设备。 然而,由于其与传统衬底的热和晶格不匹配,外延材料含有较大的位错密度,这些缺陷限制了器件的寿命和性能[33 5]。 因为氮化镓和富氮化镓配合良好,所以氮化镓及其衍生物的理想衬底三元化合物[。 在这种情况下,低缺陷密度和良好的氮化铝单晶晶格完整性是制备高质量氮化铝的先决条件。 因此,它是研究AlN单晶缺陷及其形成机理的必要手段。
实验的程序 略
结果与讨论 略
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#考研调剂有哪些注意事项#
近日,省科学院半导体所的科研人员在平片蓝宝石衬底上通过原位引入高密度的纳米孔洞,有效降低了上层AlN和底层AlN之间的接触面积,从而降低相互耦合,最终达到缓解张应变的效果,可在平片蓝宝石上实现5.6微米无裂纹AlN(而在平片蓝宝石衬底上用常规技术路线生长的AlN厚度超过2-3微米就会产生裂纹),因此大幅度降低了AlN外延层中的位错密度。
https://t.cn/A6UR0Ogn
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#铁路摄影[超话]# 菲亚特柴油铁路客车一节。这台稀有的ALn56型铁路客车于1937年在意大利出厂,两端车头各有一个驾驶室和一台引擎,共有56个座位。车头夸张的进气栅体现出了二战前欧洲的时尚风格。这台车曾经在意大利南部的卡拉布里亚地区服役,退役后被美国佛罗里达州的一个私人收藏家买下,后在1992年的一场飓风中严重受损。2011年该车被运至土耳其,修复后对外展示。
该车诞生的1937年正是墨索里尼当政时期,车头菲亚特标志下方的小金属雕塑(图五)是一个柴捆加一个板斧,这也是法西斯的象征。[doge]
该车诞生的1937年正是墨索里尼当政时期,车头菲亚特标志下方的小金属雕塑(图五)是一个柴捆加一个板斧,这也是法西斯的象征。[doge]
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