华润微：晶圆代工持续景气
事件：10月26日，公司发布2021年三季度报告，前三季度实现营业收入为69.28亿元，同比增长41.70%；归母净利润16.84亿元，同比增长145.20%。
积极推进产品结构转型，业绩高速增长。公司持续聚焦功率半导体、智能传感器与智能控制领域的战略布局，推进产品结构转型，产品与方案、制造与服务两大板块齐发力，进一步巩固市场，提升产能及业绩，前三季度实现营业收入为69.28亿元，同比增长41.70%；归母净利润16.84亿元，同比增长145.20%。
核心技术实现突破，部分产品开始量产。公司自主研发的新一代高性能中低压功率MOSFET产品实现关键核心技术突破，并通过公司核心客户的一次性认定，实现量产；IGBT产品制造工艺技术全面提升至8吋，1200V 40A FS-IGBT产品在工业领域实现量产，新一代的650V 40A FS-IGBT样品技术参数达到国外对标产品水平，已送样给客户进行评估。
紧抓第三代半导体材料发展机遇，布局SiC、GaN产品线。据统计，2020年全球SiC和GaN功率半导体的销售收入达到8.54亿美元，在电动汽车、光伏逆变器等需求的推动下，未来十年将保持两位数的年均复合增长率。目前公司自主研发的新一代650V SiC JBS综合性能已达到业界先进水平，多款产品实现量产；基于GaN的快充方案及芯片研发已完成自研系统设计。
盈利预测：预计公司2021-2023年营收95.4/109.7/128.3亿元，归母净利润22.0/26.1/30.1亿元，维持“强烈推荐”评级。#股票##价值投资日志[超话]#
事件：10月26日，公司发布2021年三季度报告，前三季度实现营业收入为69.28亿元，同比增长41.70%；归母净利润16.84亿元，同比增长145.20%。
积极推进产品结构转型，业绩高速增长。公司持续聚焦功率半导体、智能传感器与智能控制领域的战略布局，推进产品结构转型，产品与方案、制造与服务两大板块齐发力，进一步巩固市场，提升产能及业绩，前三季度实现营业收入为69.28亿元，同比增长41.70%；归母净利润16.84亿元，同比增长145.20%。
核心技术实现突破，部分产品开始量产。公司自主研发的新一代高性能中低压功率MOSFET产品实现关键核心技术突破，并通过公司核心客户的一次性认定，实现量产；IGBT产品制造工艺技术全面提升至8吋，1200V 40A FS-IGBT产品在工业领域实现量产，新一代的650V 40A FS-IGBT样品技术参数达到国外对标产品水平，已送样给客户进行评估。
紧抓第三代半导体材料发展机遇，布局SiC、GaN产品线。据统计，2020年全球SiC和GaN功率半导体的销售收入达到8.54亿美元，在电动汽车、光伏逆变器等需求的推动下，未来十年将保持两位数的年均复合增长率。目前公司自主研发的新一代650V SiC JBS综合性能已达到业界先进水平，多款产品实现量产；基于GaN的快充方案及芯片研发已完成自研系统设计。
盈利预测：预计公司2021-2023年营收95.4/109.7/128.3亿元，归母净利润22.0/26.1/30.1亿元，维持“强烈推荐”评级。#股票##价值投资日志[超话]#
前期科技股出现了长时间的修正，近期再次走强，扬杰科技（300373）公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。公司光伏产品业务收入占总收入的比重约15%-20%，公司与光伏应用领域内诸多品牌客户长期保持良好的供需关系。技术上，近期个股是震荡上涨的走势，前期调整时间较长，短期3天个股大涨37%，目前已经阶段新高走势，目前是加速的主升浪走势。#今日看盘# #股票#
第三代半导体概念核心龙头汇总！（深度好文，注意收藏）
首先什么是第三代半导体？第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，其余包括氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝AlN等的研究尚处于起步阶段。
而第三代半导体相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。但氮化镓因缺乏大尺寸单晶，因此第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，其中碳化硅应用更为广泛。
而新能源车是碳化硅最重要的下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等。
最新的消息显示，小鹏汽车正式发布旗下第四款车型——全新智能旗舰SUV小鹏G9。该款车最大亮点是800V高压碳化硅+480kW超充技术，是G内首款基于800V高压碳化硅平台的量产车，官方号称可以做到“充电5分钟，续航200公里”。众所周知电动车的弊端之一就是充电慢，未来快充大概率会成为主流，这也正体现出碳化硅的性能优势，以及未来的应用前景！
目前G内厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。这也是为什么市场对于第三代半导体弯道超车给予厚望的原因。
而ZC方面，“十四五”规划之中，我G计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
A股市场目前有58只相关概念股，其中核心名单如下：
1、露笑科技：公司与合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿。而目前合肥露笑一期已完成主要设备的安装调试，进入正式投产阶段。另外公司表示，碳化硅项目的建成投产使公司实现国内6英寸导电型碳化硅衬底片的突破。
2、银河微电：公司针对 GaN、SiC 基半导体功率器件产品已有一些预研及技术储备，GSC 系列 650V/1200V SiC 肖特基产品也已小批量生产。
3、三安光电：公司湖南三安投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。
4、斯达半导：公司去年年底表示拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。
5、闻泰科技：公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。
6、捷捷微电：公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sic、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。
7、聚灿光电：公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。
8、天通股份：公司子公司凯成半导体从事碳化硅晶体材料的生产研发，子公司天通吉成可生产碳化硅生产设备，孙公司天通日进生产后道研磨抛设备，相关设备优先配套公司内部使用。
9、华润微：第三代半导体方面，公司根据研发进程有序推进碳化硅（SiC）中试生产线建设，目前已按计划完成第一阶段建设目标，利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiCJBS产品开发和考核。
10、士兰微：公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、 封装、系统应用的全技术链。
11、天富能源：公司是国内碳化硅衬底领军企业天科合达第二大股东，持有其10.66%的股权。
12、易事特：公司作为国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。
13、晶盛机电：公司开发的碳化硅外延设备，有助于拓展在第三代半导体设备领域的市场布局。
14、北方华创：公司可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。
15、扬杰科技：公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。
16、赛微电子：控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商。
声明：再好的逻辑也要配合市场趋势而为。以上仅为静态整理，不构成投资建议；据此入市，风险自担！
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首先什么是第三代半导体？第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN，其余包括氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝AlN等的研究尚处于起步阶段。
而第三代半导体相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。但氮化镓因缺乏大尺寸单晶，因此第三代半导体材料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，其中碳化硅应用更为广泛。
而新能源车是碳化硅最重要的下游领域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等。
最新的消息显示，小鹏汽车正式发布旗下第四款车型——全新智能旗舰SUV小鹏G9。该款车最大亮点是800V高压碳化硅+480kW超充技术，是G内首款基于800V高压碳化硅平台的量产车，官方号称可以做到“充电5分钟，续航200公里”。众所周知电动车的弊端之一就是充电慢，未来快充大概率会成为主流，这也正体现出碳化硅的性能优势，以及未来的应用前景！
目前G内厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。这也是为什么市场对于第三代半导体弯道超车给予厚望的原因。
而ZC方面，“十四五”规划之中，我G计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
A股市场目前有58只相关概念股，其中核心名单如下：
1、露笑科技：公司与合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿。而目前合肥露笑一期已完成主要设备的安装调试，进入正式投产阶段。另外公司表示，碳化硅项目的建成投产使公司实现国内6英寸导电型碳化硅衬底片的突破。
2、银河微电：公司针对 GaN、SiC 基半导体功率器件产品已有一些预研及技术储备，GSC 系列 650V/1200V SiC 肖特基产品也已小批量生产。
3、三安光电：公司湖南三安投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。
4、斯达半导：公司去年年底表示拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。
5、闻泰科技：公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。
6、捷捷微电：公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sic、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。
7、聚灿光电：公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。
8、天通股份：公司子公司凯成半导体从事碳化硅晶体材料的生产研发，子公司天通吉成可生产碳化硅生产设备，孙公司天通日进生产后道研磨抛设备，相关设备优先配套公司内部使用。
9、华润微：第三代半导体方面，公司根据研发进程有序推进碳化硅（SiC）中试生产线建设，目前已按计划完成第一阶段建设目标，利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiCJBS产品开发和考核。
10、士兰微：公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、 封装、系统应用的全技术链。
11、天富能源：公司是国内碳化硅衬底领军企业天科合达第二大股东，持有其10.66%的股权。
12、易事特：公司作为国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。
13、晶盛机电：公司开发的碳化硅外延设备，有助于拓展在第三代半导体设备领域的市场布局。
14、北方华创：公司可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。
15、扬杰科技：公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。
16、赛微电子：控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商。
声明：再好的逻辑也要配合市场趋势而为。以上仅为静态整理，不构成投资建议；据此入市，风险自担！
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