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锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。
锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成第二氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。
锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同。n型锗的溶解电位比p型略正，所以在相同溶液中前者的溶解速度较快。锗易溶于加氧化剂的热酸、热碱和H2O2中。难溶于稀硫酸、盐酸和冷碱液。锗在100℃的水中是不溶的，而在室温下饱和氧的水中，溶解速度接近1ug/（cm.h）。
H2O2对锗的溶解
室温下3%的H2O2能缓慢地溶解块状的锗，升温到90~100℃时溶解速度加快。 n型锗在100℃的H2O2中的溶解速度受H2O2浓度的影响 [8] 。
（1）锗被氧化为GeO，在表面形成单层GeO Ge+H2O2=GeO
（2）进一步氧化为GeO2 GeO+H2O2=GeO2+H2O
（3）GeO2+H2O=H2GeO3
当溶液中有碱存在时，锗酸与碱作用生成锗酸钠，而加速锗的溶解。 H2GeO3+NaOH=Na2GeO3+2H2O
锗在硫酸中的溶解
锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。
锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成第二氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。
锗在不同溶剂中的腐蚀溶解行为不同。n型锗的溶解电位比p型略正，所以在相同溶液中前者的溶解速度较快。锗易溶于加氧化剂的热酸、热碱和H2O2中。难溶于稀硫酸、盐酸和冷碱液。锗在100℃的水中是不溶的，而在室温下饱和氧的水中，溶解速度接近1ug/（cm.h）。
H2O2对锗的溶解
室温下3%的H2O2能缓慢地溶解块状的锗，升温到90~100℃时溶解速度加快。 n型锗在100℃的H2O2中的溶解速度受H2O2浓度的影响 [8] 。
（1）锗被氧化为GeO，在表面形成单层GeO Ge+H2O2=GeO
（2）进一步氧化为GeO2 GeO+H2O2=GeO2+H2O
（3）GeO2+H2O=H2GeO3
当溶液中有碱存在时，锗酸与碱作用生成锗酸钠，而加速锗的溶解。 H2GeO3+NaOH=Na2GeO3+2H2O
锗在硫酸中的溶解
用稻壳灰制备隔热浇注料
轻质隔热耐火材料对高温性能至关重要,可降低能耗。稻壳作为生物质燃料燃烧后变成固体废弃物稻壳灰(RHA)。印度的研究人员首先用RHA通过碱萃取(AE)法合成硅溶胶，然后用RHA作骨料，以RHA衍生的硅溶胶用作结合剂制备隔热浇注料，并研究其显微结构和性能。
将收集的废料RHA在马弗炉中加热至700 ℃保温1h,加热和冷却速率为5 ℃· min~',去除任何可能的挥发性物质。合成溶胶其他原料:分析纯盐酸(HCI) ( 浓度约35%)、氢氧化钠片(NaOH) ( 纯度约99%) ;试验过程均使用去离子(DI)水。
以加热处理后的RHA作为主要原料，采用AE法制备溶胶。在室温下，将研磨过的RHA(<90 μm)在0.5 mol. L'的盐酸中以400r. min'的转速连续磁力搅拌清洗30 min,去除污垢和金属杂质。将清洗干净的RHA和NaOH (质量比0.75)与去离子水混合( 1L水中约100 g固体)，在90 C下连续搅拌混合( 400r.min') 1h。然后在室温下静置24 h,进行充分反应。通过微孔滤纸将溶液(Na,SiO,)中未反应的固体( 约25%)分离出来。向过滤后的透明溶液中逐滴添加HCI并不断搅拌( 400r.min^')，直到溶液完全转化为白色溶胶。将溶胶放置1天老化，然后用去离子水反复洗涤，以便去除杂质离子。最后，将制备的溶胶控制在60 C加热，减少水分，得到固含量约30%的溶胶。
试验以研磨和未研磨的RHA作为骨料，以RHA制备的硅溶胶作结合剂，添加少量的六偏磷酸钠(SHMP)作分散剂制备了5组隔热浇注料试样，原料组成如表1所示。首先将六偏磷酸钠和溶胶混合5 min,然后加入骨料(不同粒度的RHA)混合10 min, S-1和S-2试样分别再添加4%和2%的水。混合好的料倒入25 mm X 25 mm X 25 mm的模具中振动成型。脱模后试样在100 C干燥24h,测定干燥试样的常温耐压强度。将满足生坯强度要求的试样分别在900、1 000、1 100和1 200 ℃热处理2 h,加热和冷却速率均为3℃·min~'。
轻质隔热耐火材料对高温性能至关重要,可降低能耗。稻壳作为生物质燃料燃烧后变成固体废弃物稻壳灰(RHA)。印度的研究人员首先用RHA通过碱萃取(AE)法合成硅溶胶，然后用RHA作骨料，以RHA衍生的硅溶胶用作结合剂制备隔热浇注料，并研究其显微结构和性能。
将收集的废料RHA在马弗炉中加热至700 ℃保温1h,加热和冷却速率为5 ℃· min~',去除任何可能的挥发性物质。合成溶胶其他原料:分析纯盐酸(HCI) ( 浓度约35%)、氢氧化钠片(NaOH) ( 纯度约99%) ;试验过程均使用去离子(DI)水。
以加热处理后的RHA作为主要原料，采用AE法制备溶胶。在室温下，将研磨过的RHA(<90 μm)在0.5 mol. L'的盐酸中以400r. min'的转速连续磁力搅拌清洗30 min,去除污垢和金属杂质。将清洗干净的RHA和NaOH (质量比0.75)与去离子水混合( 1L水中约100 g固体)，在90 C下连续搅拌混合( 400r.min') 1h。然后在室温下静置24 h,进行充分反应。通过微孔滤纸将溶液(Na,SiO,)中未反应的固体( 约25%)分离出来。向过滤后的透明溶液中逐滴添加HCI并不断搅拌( 400r.min^')，直到溶液完全转化为白色溶胶。将溶胶放置1天老化，然后用去离子水反复洗涤，以便去除杂质离子。最后，将制备的溶胶控制在60 C加热，减少水分，得到固含量约30%的溶胶。
试验以研磨和未研磨的RHA作为骨料，以RHA制备的硅溶胶作结合剂，添加少量的六偏磷酸钠(SHMP)作分散剂制备了5组隔热浇注料试样，原料组成如表1所示。首先将六偏磷酸钠和溶胶混合5 min,然后加入骨料(不同粒度的RHA)混合10 min, S-1和S-2试样分别再添加4%和2%的水。混合好的料倒入25 mm X 25 mm X 25 mm的模具中振动成型。脱模后试样在100 C干燥24h,测定干燥试样的常温耐压强度。将满足生坯强度要求的试样分别在900、1 000、1 100和1 200 ℃热处理2 h,加热和冷却速率均为3℃·min~'。
华林科纳半导体-----晶圆湿式用于硅蚀刻浴晶圆蚀刻
引言
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻
溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的< 100 >表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。
实验
KOH硅湿法蚀刻工艺
工艺模拟过程中使用了150 mm晶片，蚀刻厚度为610 μm。整个工序流程是Fig。等于4，用反射计测量了实验中使用的热处理氧化膜的厚度，Fig。确认平均为1.2 μm，如5所示。为了形成波托雷吉斯特(AZ-1512)
在97 ℃下进行了100秒的Soft bake。老光使用i-line ultra violet (UV) light，hard bake在120 ℃下进行了10分钟。之后，使用缓冲氧化技术(BOE)去除SiO2、去除葡萄藤、Si湿式蚀刻和残留氧化膜剂。
进行工艺结果实验时，Fig。就像6一样，硅与KOH正常反应
用显微镜观察了响应。实验在没有单独装置的情况下冷却了硅，结果是Fig。像7一样，确认了晶片背面被遗忘的现象。这使得整个晶片都变薄了，硅的硬度减少了。为了防止这种现状，进行稳定的湿式蚀刻工艺，设计并制作了硅后向蚀刻防止装置。
装置使用工艺结果表明，将开发的装置应用于湿式蚀刻工艺，结果与Table 1相同。稳定地将150 mm晶片的总厚度610 μm从最小1mm￥0.5mm到最大9mm￥9mm等多种图案蚀刻出来，并表现出与前面提到的(1)、(2)的公式相似的倾向性。但是，选择比出现了差异，这可能是氧化膜生长过程中氢含量的差异所致和投篮时，晶片的硬度相对优秀。上述结果证实，通过使用开发的装置的KOH湿式蚀刻工艺，可以在一个晶片上形成多种MEMS的结构。
结论
MEMS装置的制造要求各向异性蚀刻，以确保晶片整体的图案均匀性和硅的硬度。
一切。本研究为此开发了150毫米晶片背面防蚀刻装置。实验结果确认硅稳定地蚀刻到最大深度610 μm。此外，如果能够设计和制作符合各种硅片大小的装置，并应用本研究等工艺方法，将对提高稳定性和产量做出重大贡献。
#晚睡会让人越来越胖# #血疫#
引言
了解形成MEMS制造所需的三维结构，需要SILICON的各向异性蚀刻，此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻
溶液有KOH)、(TMAH)、NaOH等，但KOH与TMAH相比，平整度更好，并且只对硅的< 100 >表面做出反应，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向异性蚀刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。
实验
KOH硅湿法蚀刻工艺
工艺模拟过程中使用了150 mm晶片，蚀刻厚度为610 μm。整个工序流程是Fig。等于4，用反射计测量了实验中使用的热处理氧化膜的厚度，Fig。确认平均为1.2 μm，如5所示。为了形成波托雷吉斯特(AZ-1512)
在97 ℃下进行了100秒的Soft bake。老光使用i-line ultra violet (UV) light，hard bake在120 ℃下进行了10分钟。之后，使用缓冲氧化技术(BOE)去除SiO2、去除葡萄藤、Si湿式蚀刻和残留氧化膜剂。
进行工艺结果实验时，Fig。就像6一样，硅与KOH正常反应
用显微镜观察了响应。实验在没有单独装置的情况下冷却了硅，结果是Fig。像7一样，确认了晶片背面被遗忘的现象。这使得整个晶片都变薄了，硅的硬度减少了。为了防止这种现状，进行稳定的湿式蚀刻工艺，设计并制作了硅后向蚀刻防止装置。
装置使用工艺结果表明，将开发的装置应用于湿式蚀刻工艺，结果与Table 1相同。稳定地将150 mm晶片的总厚度610 μm从最小1mm￥0.5mm到最大9mm￥9mm等多种图案蚀刻出来，并表现出与前面提到的(1)、(2)的公式相似的倾向性。但是，选择比出现了差异，这可能是氧化膜生长过程中氢含量的差异所致和投篮时，晶片的硬度相对优秀。上述结果证实，通过使用开发的装置的KOH湿式蚀刻工艺，可以在一个晶片上形成多种MEMS的结构。
结论
MEMS装置的制造要求各向异性蚀刻，以确保晶片整体的图案均匀性和硅的硬度。
一切。本研究为此开发了150毫米晶片背面防蚀刻装置。实验结果确认硅稳定地蚀刻到最大深度610 μm。此外，如果能够设计和制作符合各种硅片大小的装置，并应用本研究等工艺方法，将对提高稳定性和产量做出重大贡献。
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